机译:通过使用TaON / LaON双钝化夹层改善Ge MOS电容器的界面和电学性能
机译:Laon / Si双钝化层和氟等离子体处理改善HfTiON栅介电Ge MOS电容器的界面和电学性能
机译:TaON / GeON双中间层改善高k电介质Ge MOS电容器的界面性能
机译:Zrlaon钝化层和氟掺入的GE MOS电容的界面和电性能
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:使用TaON / LaON双钝化中间层改善Ge mOs电容器的界面和电学性能
机译:表面耦合界面之间的双重性,用于带电和自重的液滴